引言
Introduction
2026年9月7日，瑞波光电正式推出专为硅光应用打造的高性能80mW DFB（分布式反馈）激光芯片。该产品各项核心指标均达到行业先进水平，标志着瑞波光电在高速光通信核心光源领域的研发实力迈上新台阶。
这款80mW DFB芯片将于9月9日至11日在深圳举办的中国国际光电博览会（CIOE）上首次公开亮相，届时将在展会现场进行详细的技术展示与交流。为满足未来更高速率光通信的发展需求，瑞波光电已启动下一代高功率DFB芯片的研发计划，200mW及400mW DFB芯片正在紧锣密鼓地开发中。
产品简介
Product Introduction
1310nm CW-DFB芯片
1310nm CW-DFB chip
型号：RB-1310-10-0.08-1-SE
说明：RB-Raybow
1310-中心波长
10-沟槽间距
0.08-输出功率
1-芯片腔长
SE-单管芯片
产品特点——Features
宽温 高功率 | 典型输出功率 80mW；25℃室温最高可达 139mW，75℃高温依旧稳定输出 86mW；25℃热翻转功率 413mW，75℃热翻转功率 165mW，高温工况功率裕量充足，适配数据中心机箱高温环境。 |
光谱 高纯度 | 边模抑制比 SMSR 典型可达 50dB，光谱干净，有效抑制边模串扰，保障高速光信号传输质量；波长温漂系数仅 0.1nm/K，温度变化下波长漂移小，工作状态稳定。 |
高转换效率 | 光电转换效率典型 36%，芯片样品可达 38.19%，将更多电能转化为激光输出，减少芯片发热，降低硅光光模块整体功耗，契合算力中心绿色低 PUE 建设需求。 |
易调试 集成 | 阈值电流典型 40mA，工作电流 300mA；功率‑电流线性度好，通过电流即可精准调控输出功率；快慢轴发散角可控，便于与硅光波导耦合，降低客户封装耦合难度。 |
高可靠 稳定 | 完成 2000 小时老化验证，老化后功率无衰减，长时间连续工作性能稳定，满足算力中心 7×24 小时不间断运行要求 |
应用——Applications
硅光模块
外置CW光源
向400G/800G/1.6T 硅光调制器提供稳定单模光载波，适配 CPO 与高速硅光引擎。
AI算力中心
高速光互连
1310nm 低色散链路支撑算力集群交换机、服务器高速互联，降低能耗与运维成本。
高速光通信
光模块
用于高速数通光模块连续波光源，也适合科研平台光通信系统与光器件验证。
这款1310nmDFB芯片三大应用：可为 400G/800G/1.6T 硅光、CPO方案提供外置CW光载波；服务 AI 算力中心服务器与交换机高速互联；同时适配高速数通光模块及科研光通信系统开发验证。
技术规格
Specifications
特性参数图
Characteristics
01
不同温度下P-I特性曲线
上图展示 25℃~75℃多温度工况下，激光输出功率随驱动电流的变化关系。全温区功率线性度优异，即使 75℃高温环境依然可稳定达到 80mW 目标功率，体现芯片出色的宽温输出能力，适配数据中心高温机箱工况。
02
高低温PIV特性曲线
对比 25℃室温与 75℃高温下芯片功率‑电流‑电压变化曲线，即使处于高温环境，器件仍具备清晰的激射阈值、优良的功率线性度，保证整机高效稳定运行，适配数据中心高温机箱工况。
03
高低温光谱曲线
对比 25℃与 75℃下的输出光谱，芯片保持优异的单纵模特性，边模抑制效果出色；波长温漂小于 0.1 nm/℃，温度变化时波长偏移量小，光谱稳定性强，保障高速光信号可靠传输。
04
高低温远场发散角曲线
对比 25℃与 75℃工况下芯片快慢轴光束远场分布，高温条件下光束轮廓保持稳定可控，发散角一致性好，同时快慢轴远场发散角曲线重合度好、接近对称，FWHM比例接近为1：1，大电流下具备优秀的单模特性，有利于与单模光纤的耦合，便于客户封装集成。
结语
Conclusion
作为由深圳清华大学研究院与国内外技术专家共同创办的高科技企业，瑞波光电始终致力于填补国内在大功率半导体激光芯片领域的空白。此次80mW DFB芯片的发布及多款新品的亮相，不仅丰富了瑞波光电在光通信波段的产品矩阵，也为国产高端光芯片的自主可控与产业化进程注入了强劲动力。
除DFB芯片外，瑞波光电还将在本届CIOE展会上全面展示其在高速光通信及光放大领域的最新研发成果。针对算力中心、卫星互联网以及光纤骨干网日益增长的光放大需求，公司正在积极开发980nm和1470nm单模泵浦源芯片。此外，面向下一代高速互连的100G/200G VCSEL芯片也将同步进行现场展示。
瑞波光电诚邀业界同仁、合作伙伴及媒体朋友莅临CIOE（4A085）展会现场，共同见证中国高端光芯片的创新力量，探讨未来光通信与算力网络的发展新机遇。
